时间：2025/8/2 6:02:35
阅读：23
DMN3009LFVW-7是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型DFN1006-6封装，适用于需要高效能和小尺寸设计的便携式电子产品。该器件具有低导通电阻、高可靠性以及优良的热性能，适合用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的功率控制应用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-2.8A
导通电阻（RDS(ON)）：最大135mΩ @ VGS = -10V，最大220mΩ @ VGS = -4.5V
功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN1006-6
DMN3009LFVW-7具有多项优异特性，使其在便携式电子设备中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）在不同栅极电压下均保持较低水平，确保了在高电流应用中的高效能，减少了功率损耗和热量产生。其次，该器件的P沟道结构使其在高边开关应用中非常实用，例如在电源管理电路中用于控制电池供电的负载开关。
此外，DMN3009LFVW-7采用DFN1006-6封装，具有良好的热管理能力，能够在有限的空间内提供高效的散热性能，非常适合空间受限的便携式设备。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应了广泛的工作环境，确保在各种温度条件下的稳定运行。
DMN3009LFVW-7的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，提高了设计的灵活性。其低功耗特性也使其在电池供电设备中表现出色，有助于延长设备的续航时间。
DMN3009LFVW-7广泛应用于便携式电子设备中的电源管理和功率控制电路。典型应用包括移动电话、平板电脑、笔记本电脑和其他电池供电设备中的负载开关。此外，它还可用于DC-DC转换器、马达驱动器、LED照明控制电路以及需要高可靠性和小尺寸封装的工业和消费类电子产品。由于其优异的热性能和低导通电阻，该器件在需要高效能和高稳定性的应用中表现出色。
Si4435BDY, BSS84P
