时间：2025/9/2 1:58:36
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H9TKNNNBPDAR-ARNGH 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽内存（HBM2E）系列。该芯片采用了先进的3D堆叠封装技术，以满足高性能计算、图形处理和人工智能等对内存带宽和容量有极高要求的应用需求。H9TKNNNBPDAR-ARNGH 以其卓越的性能和紧凑的设计，成为现代高端GPU、AI加速器和服务器内存系统的理想选择。
型号：H9TKNNNBPDAR-ARNGH
制造商：SK Hynix
类型：DRAM（HBM2E）
容量：8GB
位宽：1024位
频率：3.6Gbps
电压：1.3V
封装类型：3D堆叠
接口：HBM2E接口
工作温度：0°C至+95°C
H9TKNNNBPDAR-ARNGH 是一款先进的HBM2E内存芯片，采用了3D堆叠封装技术，显著提高了内存带宽并减少了PCB空间占用。该芯片支持高达3.6Gbps的数据传输速率，提供1024位的宽总线接口，从而实现了极高的数据吞吐能力。此外，该芯片的低电压设计（1.3V）有助于降低功耗，适用于高性能计算、人工智能加速器和高端图形处理器等应用场景。其高可靠性和稳定性也使其在高温环境下（最高95°C）仍能保持稳定运行。
这款芯片的高带宽和低延迟特性使其成为需要大规模并行数据处理的系统（如深度学习训练、实时渲染和超大规模数据中心）的理想选择。3D堆叠技术不仅提高了内存密度，还减少了信号路径长度，从而降低了延迟并提高了信号完整性。
H9TKNNNBPDAR-ARNGH 广泛应用于需要极高内存带宽和容量的高性能计算系统。其中包括高端GPU（如NVIDIA A100、AMD Instinct系列）、AI加速卡、深度学习训练服务器、图形渲染系统、超算系统以及下一代数据中心。此外，该芯片也适用于需要大量数据并行处理的边缘计算设备和5G通信基础设施，能够为这些系统提供稳定、高速的数据访问能力，显著提升整体系统性能。
H9HNNN8GBMMR-ARNA
