您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SIF20N50F

SIF20N50F 发布时间 时间:2025/7/7 9:15:16 查看 阅读:11

SIF20N50F是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的雪崩能力等特性,广泛应用于各种电力电子设备中,如电源适配器、开关电源(SMPS)、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率控制的场景。
  该器件由知名半导体厂商生产,以高可靠性和稳定性著称,适合在高电压和大电流条件下工作。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:1.4Ω
  栅极电荷:37nC
  输入电容:1090pF
  反向恢复时间:68ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

SIF20N50F的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,适用于高达500V的工作环境,能够承受瞬时高压冲击。
  2. 低导通电阻设计,可减少导通损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关性能,适合高频开关应用,有效降低开关损耗。
  4. 出色的雪崩击穿能力,能够在过载或短路情况下提供额外保护。
  5. 封装紧凑且散热性能优异,便于集成到各种电路设计中。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足现代电子产品的绿色要求。

应用

SIF20N50F适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 工业电机驱动及控制中的功率转换。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
  4. 电动车和混合动力汽车的电池管理系统。
  5. 各种需要高压大电流控制的工业自动化设备。
  6. 电磁阀和继电器驱动中的功率控制元件。

替代型号

IRF540N, STP20NF50, FQP20N50

SIF20N50F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价