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GA1812Y184MXBAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 20:51:08 查看 阅读:3

GA1812Y184MXBAT31G 是一款高功率、高性能的射频放大器芯片,主要用于无线通信和射频信号处理领域。该芯片采用了先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供卓越的增益性能和稳定性。其设计特别适合于需要高效率和低失真的应用场合,例如基站、卫星通信系统以及工业科学医疗(ISM)频段设备。
  该型号中的各个参数表明其具备一定的输出功率能力,同时兼顾了线性度与能效表现,从而满足现代通信系统的严格要求。

参数

封装:QFN48
  工作频率范围:1700 MHz - 2500 MHz
  输出功率:30 dBm
  增益:18 dB
  电源电压:3.1V
  静态电流:120mA
  插入损耗:0.5 dB
  隔离度:25 dB
  最大功耗:1W
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1812Y184MXBAT31G 具备多项优异特性,使其成为射频前端模块的理想选择。首先,它具有较高的输出功率能力,在保证线性度的同时能够支持复杂的调制方式。其次,该芯片在宽频带范围内保持稳定的增益性能,适用于多频段操作。此外,它还集成了匹配网络和偏置电路,简化了外围设计,并且提供了良好的热管理和抗干扰能力,确保在恶劣环境下也能正常工作。
  另外,该芯片通过优化内部结构,实现了较低的相位噪声和杂散发射水平,这对于提高整体系统性能至关重要。最后,其小型化的封装形式有助于节省空间,便于集成到紧凑型设备中。

应用

这款射频放大器芯片广泛应用于各种通信设备和技术领域。其中包括但不限于:
  1. 4G/5G 移动通信基站;
  2. Wi-Fi 和蓝牙等短距离无线传输装置;
  3. 卫星通信终端及地面站设备;
  4. 工业控制、遥测遥控系统;
  5. 医疗成像与诊断仪器;
  6. 雷达探测系统以及其他对射频性能有较高要求的产品或项目。

替代型号

GA1812Y184MXBAT30F, GA1812Y184MXBAT32H

GA1812Y184MXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-