类型：硅小信号二极管
　　最大正向电流：300 mA
　　最大反向电压：100 V
　　反向击穿电压：100 V
　　最大功耗：300 mW
　　正向压降：1.0 V（最大值，@ 200 mA）
　　反向漏电流：100 nA（最大值，@ 100 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：SOD-123（T5）

1N4448W T5 具有快速开关特性，使其适用于高频应用。该二极管在正向导通时的压降较低，有助于降低功耗并提高电路效率。由于其 100V 的反向电压额定值，它可以在较高的电压条件下可靠工作。此外，该器件的热稳定性良好，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。SOD-123 封装提供了紧凑的设计，便于在高密度 PCB 布局中使用，同时具备良好的散热能力，确保器件在持续工作时不会过热。1N4448W 还具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适合在工业控制、电源管理和信号处理等领域中使用。
　　该器件的反向恢复时间（trr）非常短，通常在 4ns 左右，这使得它能够在高速开关电路中表现优异，减少开关损耗并提高响应速度。其正向电流额定值为 300mA，足以应对大多数低功率信号处理任务。1N4448W T5 的设计还确保了其在高温环境下的稳定运行，适用于对可靠性要求较高的汽车电子、工业自动化和通信设备。

1N4448W T5 通常用于高速开关电路、信号整流、电压钳位、反向极性保护、逻辑门电路和数字电路中的隔离功能。由于其快速恢复时间和高可靠性，它广泛应用于电源供应器、DC-DC 转换器、通信设备、计算机主板和汽车电子系统。此外，它也可用于保护敏感的电子元件免受瞬态电压和反向电流的影响。

1N4148WS、1N4448、BAT46、BAV99、1N4448WS