时间：2025/8/15 13:52:34
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RF1130SB是一款高性能的射频功率晶体管，主要用于射频放大和通信系统中的高功率应用。该器件采用先进的硅双极型晶体管（Si Bipolar Transistor）技术，具有优异的高频特性和功率处理能力，适用于各种无线通信设备、广播系统和射频测试设备。
类型：射频功率晶体管
最大集电极电流：30 A
最大集电极-发射极电压：60 V
最大功耗：250 W
频率范围：175 MHz 至 500 MHz
增益：14 dB
输出功率：100 W
封装类型：TO-247
RF1130SB具有优异的射频性能和可靠性，适用于高功率射频放大器的设计。该晶体管在175 MHz至500 MHz的频率范围内工作，能够提供高达100 W的输出功率，并具有14 dB的增益。其高功率处理能力（250 W）使其在高功率应用中表现出色。
此外，RF1130SB采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，从而提高了器件的稳定性和寿命。其TO-247封装形式便于安装和散热管理，适用于多种应用场景。
该晶体管还具有良好的线性度和低失真特性，适合用于要求高信号质量的通信系统。其高可靠性设计使其能够在恶劣的工作环境下稳定运行，适用于工业和商业级别的设备。
RF1130SB广泛应用于各种射频功率放大器设计中，包括无线通信基站、广播发射机、射频测试设备和工业控制系统。其高功率输出和优异的射频性能使其成为许多高要求应用的理想选择。
RF1130SBR、RF1130SBM
