SI3011ZD 时间：2025/6/28 14:36:35 阅读：9

SI3011ZD 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET 芯片。该芯片采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用中。其封装形式为 DFN2020-8L (SC-89A)，能够提供出色的热性能和小型化设计支持。

参数

最大漏源电压：20V
　　连续漏极电流：4.5A
　　导通电阻：1.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷：1.7nC（典型值）
　　输入电容：135pF（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装：DFN2020-8L (SC-89A)

特性

SI3011ZD 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
　　2. 小型化的 DFN2020-8L 封装，非常适合空间受限的应用场景。
　　3. 支持高开关频率操作，有助于减小无源元件体积。
　　4. 宽广的工作温度范围，使其能够在严苛环境下稳定运行。
　　5. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
　　6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
　　这些特点使 SI3011ZD 成为高效能功率转换电路的理想选择。

应用

SI3011ZD 广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
　　3. 便携式电子设备中的负载开关。
　　4. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　5. 电池管理系统中的保护开关。
　　由于其低导通电阻和小型化封装，这款芯片特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。