时间：2025/8/5 23:35:49
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MDT61A15/16N 是一款由 MagnaChip 半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等领域。这款 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和良好的热稳定性，能够提供高效、可靠的功率控制解决方案。MDT61A15/16N 采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并适用于表面贴装工艺。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A（Tc=25°C）
导通电阻 RDS(on)：最大 3.5mΩ（在 VGS=10V）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-252（DPAK）
MDT61A15/16N 具有出色的电气性能和热性能，适用于高功率密度设计。其低导通电阻 RDS(on) 降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高电流负载，在 80A 的连续漏极电流下仍能保持稳定工作。
采用沟槽 MOS 技术使得 MDT61A15/16N 在高频开关应用中表现出色，具有快速开关速度和较低的开关损耗，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电路。此外，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常使用 10V 驱动），便于与常见的 PWM 控制器配合使用。
TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热能力，而且便于在 PCB 上进行表面贴装，提高了生产效率和可靠性。该封装也具备较强的机械强度，适用于工业和汽车电子等严苛环境下的应用。
MDT61A15/16N 的高可靠性和耐用性使其成为多种功率应用的理想选择，包括服务器电源、电信设备、电动工具、电动车控制系统和太阳能逆变器等。其优异的雪崩能量耐受能力也增强了器件在高电压瞬态环境下的稳定性，提高了整体系统的安全性。
MDT61A15/16N 常用于高性能开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也适用于电动工具、电动自行车、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等高功率应用场景。
SiS6686, NexFET CSD17551Q5A, AO4407, IPP045N06N3, IRLB8726PbF
