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SUD40N04-10A-E3 发布时间 时间:2025/5/29 1:29:31 查看 阅读:5

SUD40N04-10A-E3 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高效率开关电路、电源管理和电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频条件下提供出色的性能表现。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:5.5mΩ
  栅极电荷:37nC
  输入电容:1650pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 低导通电阻设计,减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高电流处理能力,确保在大负载条件下稳定运行。
  4. 宽工作温度范围,适应各种极端工况。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 封装形式为 DPAK(TO-252),易于安装和散热管理。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
  6. 电池保护与管理系统(BMS)。

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SUD40N04-10A-E3参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大71W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)