SUD40N04-10A-E3 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高效率开关电路、电源管理和电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频条件下提供出色的性能表现。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:28A
导通电阻:5.5mΩ
栅极电荷:37nC
输入电容:1650pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻设计,减少功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
3. 高电流处理能力,确保在大负载条件下稳定运行。
4. 宽工作温度范围,适应各种极端工况。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
6. 封装形式为 DPAK(TO-252),易于安装和散热管理。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
6. 电池保护与管理系统(BMS)。