时间：2025/4/29 10:01:27
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DMN2991UFB4 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用微型 U-DFN2020-8 封装，非常适合用于需要低导通电阻和高效率的开关应用。其出色的性能使得 DMN2991UFB4 在电源管理、负载开关和电机驱动等场景中得到广泛应用。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，连续漏极电流可达 3.6A（在 Rds(on) 测试条件下），并且具备超低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷：5nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：U-DFN2020-8
DMN2991UFB4 具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升转换效率。
2. 微型封装设计，节省 PCB 空间，适合紧凑型应用。
3. 快速开关速度，得益于低栅极电荷和优化的内部结构。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 高可靠性，经过严格的质量测试和筛选过程。
6. 支持逻辑电平驱动，简化了与控制器或其他信号源的接口设计。
DMN2991UFB4 广泛应用于各种电子电路中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关或保护开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. USB 充电器和便携式设备中的高效功率传输。
5. 工控制。
6. 各类消费类电子产品中的电源管理和信号切换。
DMN2990UFB4, DMN2989UFQ, BSS138
