时间：2025/5/13 15:52:08
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GA1812A681GXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺，具备极低的导通电阻和快速的开关速度，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他功率转换系统中。
其封装形式和引脚布局经过优化，能够有效降低寄生电感和热阻，从而提高整体性能并延长使用寿命。
型号：GA1812A681GXAAR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压：60V
额定电流：120A
导通电阻：1.5mΩ（典型值）
栅极电荷：45nC（最大值）
连续漏极电流：120A（@25°C）
功耗：144W（最大值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频应用，适合现代高效能电源设计。
3. 高电流承载能力，能够满足大功率应用场景的需求。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 稳定的电气性能和高耐用性，适用于工业级及汽车级应用。
6. 封装结构紧凑且散热性能优越，便于集成到各种功率模块中。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 充电器及逆变器中的功率转换组件。
6. 工业控制设备中的功率调节模块。
GA1812A681GXAAR31H, IRF540N, FDP177N10A, STP120N10F
