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GA1206A152FXCBR31G 发布时间 时间:2025/5/28 21:07:23 查看 阅读:12

GA1206A152FXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,能够满足多种工业和消费类电子产品的应用需求。
  该型号属于沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),支持高频开关操作,并且在设计上优化了效率和可靠性。其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装类型,便于大规模自动化生产。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:15A
  导通电阻Rds(on):2.8mΩ
  栅极电荷Qg:39nC
  总电容Ciss:4270pF
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55°C to +175°C
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

GA1206A152FXCBR31G的主要特点是具备极低的导通电阻,仅为2.8毫欧,这使得它非常适合于需要高效能转换的应用场合。同时,它的栅极电荷较小,能够实现快速开关动作,从而降低开关损耗。
  此外,该器件还具有强大的电流承载能力,连续漏极电流高达15安培,在高负载条件下依然保持稳定性能。并且,它的工作温度范围非常宽广,从低温-55摄氏度到高温+175摄氏度均能正常运行,适应各种极端环境需求。
  为了提高系统的可靠性和耐用性,此MOSFET采用坚固的设计结构,可有效抵御静电放电(ESD)和其他瞬态干扰的影响。

应用

这款功率MOSFET适用于广泛的电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 负载切换模块
  5. 电池保护系统
  6. 照明控制装置
  由于其优秀的电气特性和机械稳定性,GA1206A152FXCBR31G成为众多工程师在设计高效、紧凑型功率转换解决方案时的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP150N06A

GA1206A152FXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-