IPP60R120P7 时间：2025/5/20 9:20:01 阅读：3

IPP60R120P7是英飞凌（Infineon）推出的一款MOSFET功率晶体管，采用P沟道技术。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景，其设计目标是在高效率和低损耗之间实现良好的平衡。
　　IPP60R120P7的封装形式为TO-247-3，这种封装能够提供较高的散热性能和电气连接可靠性，适合大功率应用场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：120mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　总热阻（结到壳）：0.8°C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IPP60R120P7是一款高性能的功率MOSFET，具有以下关键特性：
　　1. 高效的导通性能，导通电阻仅为120mΩ，能够显著降低导通损耗。
　　2. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷（75nC），可有效减少开关过程中的能量损耗。
　　3. 良好的热稳定性，能够在高达175°C的工作温度下可靠运行。
　　4. 强大的电流承载能力，支持高达50A的连续漏极电流，适用于多种工业和消费类电子应用。
　　5. TO-247-3封装提供优秀的散热性能和机械强度，非常适合大功率系统设计。

应用

IPP60R120P7广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如AC/DC适配器和电源模块。
　　2. 电机驱动电路，用于家用电器、工业设备和电动工具。
　　3. 电池管理系统（BMS），用于电动汽车和储能系统的负载切换。
　　4. 固态继电器和负载开关，提供快速且可靠的通断控制功能。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率调节与控制模块。