时间：2025/5/29 11:41:31
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DMN2011UFDE是一款由Diodes Incorporated生产的N通道增强型MOSFET。该器件采用微型DFN1010-6封装，具有超小尺寸和低导通电阻的特点，非常适合空间受限的应用场景。
这款MOSFET的额定电压为30V，能够承受较高的瞬态电压，同时其导通电阻非常低，有助于提高效率并降低功耗。DMN2011UFDE在开关电源、负载开关、电池管理以及便携式电子设备中有着广泛的应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极电荷：3nC
总电容：190pF
工作结温范围：-55℃至150℃
DMN2011UFDE具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 小尺寸DFN1010-6封装，适合高密度设计。
3. 高速开关性能，适用于高频应用。
4. 符合RoHS标准，环保且可靠。
5. 优异的热稳定性，能够在宽温度范围内正常工作。
6. 内部二极管反向恢复时间短，提升整体效率。
DMN2011UFDE的主要应用领域包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. 移动设备中的负载开关控制。
3. USB端口保护及过流保护电路。
4. 电池供电设备中的电源管理。
5. 电机驱动和LED驱动中的功率开关。
6. 各类消费类电子产品中的信号切换。
DMN2021UFDE
NTMV2010NBR
Si3400DD
