类型：MOS FET继电器（光继电器）
　　通道数：1通道
　　输入正向电流（IF）：50 mA（最大）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出漏极-源极电压（VDS）：350 V（最大）
　　输出连续通态电流（ID(on)）：120 mA（最大）
　　输出峰值电流（ID(peak)）：360 mA
　　导通电阻（RON）：8 Ω（典型值）
　　关断状态漏电流（ID(off)）：1 μA（最大）
　　响应时间（开）：1 ms（最大）
　　响应时间（关）：0.5 ms（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（输入-输出）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　封装类型：TSON-6（表面贴装）
　　LED波长兼容性：红外型（典型940nm）

G3VM-352J的核心特性之一是其基于光控MOS FET的输出结构，这种设计使得器件能够在没有机械触点的情况下完成电路的通断操作，从根本上消除了因触点氧化、弹跳或磨损而导致的失效问题，从而显著提升了系统的长期可靠性和稳定性。其输出端采用一对背对背连接的MOS FET结构，允许器件在交流和直流负载下均能正常工作，并能有效阻断双向电压，确保在关断状态下输出端完全隔离。这种双向阻断能力使其非常适合用于切换交流信号或双极性电源线路。
　　该器件具有非常低的导通电阻（典型8Ω），这意味着在导通状态下功率损耗极小，有助于提高系统效率并减少散热需求。同时，低RON也保证了输出电压降较小，有利于保持信号完整性，尤其在精密模拟信号切换应用中尤为重要。G3VM-352J的输入侧采用标准红外LED，可直接由微控制器GPIO口或逻辑门电路驱动，仅需约5–10 mA的驱动电流即可实现充分导通，兼容TTL和CMOS电平，简化了驱动电路设计。
　　另一个关键优势是其高绝缘性能，输入与输出之间可承受高达5000 Vrms的隔离电压，满足工业级和医疗设备中的安全绝缘要求，符合国际安全标准如UL、CSA和VDE等认证。这使得G3VM-352J可用于高压检测、电源监控、PLC模块等需要强电与弱电隔离的场景。此外，器件响应速度快，开通时间不超过1ms，关断时间更短至0.5ms以内，远快于传统电磁继电器，适用于需要频繁切换或实时控制的应用。
　　G3VM-352J还具备良好的抗振动和抗冲击性能，因其无活动部件，可在恶劣物理环境下稳定运行。其小型化SMD封装不仅节省空间，还支持自动化贴片生产，提升制造效率。器件在整个工作温度范围（-40°C至+110°C）内性能稳定，适用于宽温环境下的工业控制和户外设备。

G3VM-352J广泛应用于各种需要高可靠性、长寿命和电气隔离的电子控制系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）的I/O模块中作为信号切换元件，用于控制传感器、执行器或小功率负载的通断。由于其支持交流和直流负载切换，并具备高绝缘电压，因此非常适合用于工业现场的隔离接口电路。
　　在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统（DAQ）或多路复用器中，G3VM-352J被用来切换多个模拟或数字信号通道，其低导通电阻和低泄漏电流有助于保持测量精度，避免信号失真或串扰。此外，在电池管理系统（BMS）、电源监控单元或继电保护装置中，该器件可用于电压采样路径的切换或故障隔离。
　　通信设备中也常见其身影，例如在电话交换系统、调制解调器或网络路由设备中用于信号路由和线路切换。由于其无电磁干扰特性，不会影响周边高频电路的工作，适合高密度布板环境。
　　医疗电子设备要求高度的安全性和稳定性，G3VM-352J的高绝缘性能和长寿命特点使其成为病人监护仪、诊断设备或实验室仪器中理想的开关元件。此外，在安防系统、智能电表、楼宇自动化和消费类高端电子产品中也有广泛应用。其固态结构特别适合无人值守或难以维护的远程设备，大幅降低维护成本和停机风险。

G3VM-452EY
　　G3VM-451A
　　TLP3546A
　　CC208B