时间：2025/8/6 3:39:10
阅读：17
IXTI10N60P 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装形式，适用于多种电源管理和功率控制应用。其设计支持高效率、低导通损耗和优异的热性能，适用于开关电源、马达控制、直流-直流转换器等应用。IXTI10N60P 的最大漏源电压（VDS）为 600V，最大漏极电流（ID）为 10A，使其能够在高压、高电流条件下可靠运行。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：10A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：约 0.45Ω（最大值）
栅极电压（VGS）：±30V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：83W
IXTI10N60P 以其优异的电气性能和可靠性在功率电子领域中广受欢迎。其主要特性之一是高耐压能力，漏源电压高达 600V，使其适用于高电压输入的电源系统。此外，该器件的最大漏极电流为 10A，在适当的散热条件下能够支持高功率输出。该 MOSFET 的导通电阻（RDS(on)）相对较低，约为 0.45Ω，能够减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
IXTI10N60P 还具备良好的热稳定性，工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其适用于严苛的工作环境。其栅极电压容限为 ±30V，确保了栅极驱动电路的兼容性与安全性。此外，该器件的封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理效率。
由于其高耐压、低导通电阻和高可靠性，IXTI10N60P 被广泛用于各种电力电子应用中，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动器。其设计确保了在高频开关应用中的稳定性，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
IXTI10N60P 常见于多种电源管理和功率控制应用，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器、充电器和 LED 照明系统。由于其高耐压和高电流能力，该 MOSFET 特别适合用于高功率密度和高效率要求的应用场景。此外，IXTI10N60P 还可用于工业控制、家用电器、自动化设备以及新能源系统，如太阳能逆变器和风能控制系统。
STP10NK60ZFP, FQA10N60C, FDPF10N60
