类型：MOSFET（双N沟道）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.1A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(ON)）：36mΩ @ VGS=4.5V；45mΩ @ VGS=2.5V
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：SOT26

DMF2011采用了先进的TrenchFET技术，使得器件具有极低的导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其双N沟道结构设计允许在同一个封装中集成两个独立的MOSFET，非常适合用于需要多个开关的应用场景，如同步整流和双向开关电路。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V的栅极驱动，兼容多种控制器和驱动器输出，增强了设计的灵活性。此外，DMF2011具备较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于苛刻的工作条件。
　　由于其SOT26封装体积小巧，DMF2011非常适合用于便携式设备和空间受限的应用中。该封装还具有良好的散热性能，有助于提高器件在高电流条件下的稳定性。DMF2011还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，从而进一步提高系统效率。

DMF2011适用于多种电源管理和功率控制应用，包括但不限于以下领域：
　　1. DC-DC转换器：用于提高能量转换效率，特别是在低电压、高电流的场合，如笔记本电脑电源模块。
　　2. 负载开关：用于控制电源的通断，保护电路免受过流或短路影响，适用于移动设备和嵌入式系统。
　　3. 电池管理系统：用于电池充放电控制，确保电池组安全高效运行。
　　4. 电机驱动：用于小型电机的控制电路中，提供高效的开关性能。
　　5. 电源管理IC外围器件：作为功率开关用于负载调节和电源分配。

DMF2010, DMN2010, DMN2011, 2N7002, BSS138