时间：2025/5/15 17:16:06
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PESD03CI2010 是一款基于硅材料的低电容瞬态电压抑制（TVS）二极管，适用于高速信号线和数据接口保护。其主要功能是防止静电放电（ESD）、雷击和其他瞬态电压对敏感电子设备造成的损害。
该器件具有超低电容特性，可确保在高频应用中不会显著影响信号完整性。PESD03CI2010 采用紧凑型封装设计，非常适合便携式设备和空间受限的应用场景。
类型：瞬态电压抑制（TVS）二极管
工作电压（VBR）：±3.3V
最大钳位电压（VC）：±19V
峰值脉冲电流（IPP）：6A
电容（CIO）：0.5pF
响应时间（tr）：1ps
封装：DFN1006-2（1.0x0.6mm）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 超低电容（0.5pF），适合高速数据线路保护。
2. 快速响应时间（1ps），能够有效抑制瞬态电压威胁。
3. 高浪涌能力（6A IPP），提供强大的过流保护。
4. 小尺寸封装（DFN1006-2），节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境条件。
7. 双向保护结构，支持正负极双向电压抑制。
1. USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 等高速接口保护。
2. 手机、平板电脑和其他消费类电子产品的ESD防护。
3. 工业控制设备中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的数据总线保护（如 CAN、LIN）。
5. 网络通信设备的端口保护。
6. 其他需要低电容保护的高频电路应用。
PESD03CI2008, PESD03CI2012
