时间：2025/6/3 10:53:14
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S-LBTP460Z4TZHG 是一款高性能的表面贴装功率 MOSFET 芯片，广泛应用于各种开关电源、电机驱动和负载切换场景。该芯片采用先进的封装技术，具备低导通电阻和高耐压能力，同时优化了热性能以适应严苛的工作环境。
其设计特点在于高效能与紧凑型结构相结合，能够显著提升系统效率并减少整体方案尺寸。S-LBTP460Z4TZHG 在高频开关应用中表现出色，适用于需要快速动态响应和低损耗特性的场合。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：135A
导通电阻：1.2mΩ（典型值）
栅极电荷：85nC
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
S-LBTP460Z4TZHG 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以显著降低传导损耗，从而提高效率。
2. 高耐压能力确保在复杂电路环境中稳定运行。
3. 快速开关速度和低栅极电荷使其非常适合高频应用。
4. 采用 TO-263-3 封装，具有良好的散热性能和机械可靠性。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端条件下保持性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这些特性使 S-LBTP460Z4TZHG 成为工业自动化设备、通信电源以及电动车控制系统的理想选择。
S-LBTP460Z4TZHG 的主要应用场景包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 的电池管理系统及电机驱动控制。
3. 工业级电机驱动和逆变器模块。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 高端音频放大器的开关电源部分。
由于其强大的电流承载能力和高效的开关表现，该芯片几乎覆盖所有需要大功率和高效率的电子设备领域。
S-LBTP460Z4TTHG, IRFZ44N, FDP5800
