您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRLR110ATF

IRLR110ATF 发布时间 时间:2025/6/27 12:24:52 查看 阅读:8

IRLR110ATF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沟道逻辑 级增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,专为高效能开关应用而设计。其封装形式为 TO-252 (DPAK),适用于各种电源管理、电机驱动以及消费电子领域。
  该器件的工作电压范围较广,可支持高达 30V 的漏源极电压,并能在大电流条件下提供高效的功率转换。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:67A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ
  栅极电荷:8nC
  总电容(Ciss):2290pF
  功耗:105W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRLR110ATF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低传导损耗并提升效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  5. 采用 DPAK 封装,具备良好的散热性能。
  6. 耐热增强设计,能够在高温环境下稳定运行。
  这些特性使其成为需要高效、高可靠性功率转换的应用的理想选择。

应用

IRLR110ATF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC/DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  3. 电机驱动电路,用于控制和调节电机速度。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 消费电子产品中的高效功率管理单元。
  凭借其出色的性能,IRLR110ATF 在现代电子系统中发挥着关键作用。

替代型号

IRLR110G, IRLR110TRPBF

IRLR110ATF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRLR110ATF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C440 毫欧 @ 2.35A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds235pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)