IRLR110ATF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沟道逻辑 级增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,专为高效能开关应用而设计。其封装形式为 TO-252 (DPAK),适用于各种电源管理、电机驱动以及消费电子领域。
该器件的工作电压范围较广,可支持高达 30V 的漏源极电压,并能在大电流条件下提供高效的功率转换。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:67A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ
栅极电荷:8nC
总电容(Ciss):2290pF
功耗:105W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
IRLR110ATF 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低传导损耗并提升效率。
2. 高额定电流能力,适合大功率应用场景。
3. 快速开关速度,减少开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
5. 采用 DPAK 封装,具备良好的散热性能。
6. 耐热增强设计,能够在高温环境下稳定运行。
这些特性使其成为需要高效、高可靠性功率转换的应用的理想选择。
IRLR110ATF 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路,用于控制和调节电机速度。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费电子产品中的高效功率管理单元。
凭借其出色的性能,IRLR110ATF 在现代电子系统中发挥着关键作用。
IRLR110G, IRLR110TRPBF