时间：2025/4/30 19:39:09
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IPD640N06L是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高能效的特点，非常适合用于消费电子、工业控制以及通信设备中的开关电源、电机驱动等应用。其额定电压为60V，连续漏极电流可达4.0A（在Ta=25°C条件下）。此外，该产品还具备出色的热稳定性和ESD保护性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.0A
导通电阻（典型值）：130mΩ
栅极电荷：11nC
输入电容：380pF
总耗散功率（Ta=25°C）：1.2W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252
IPD640N06L的主要特性包括：
1. 额定电压高达60V，适用于多种低压应用场景。
2. 导通电阻低至130mΩ（典型值），有助于降低功耗并提高效率。
3. 快速开关能力，栅极电荷仅为11nC，适合高频电路设计。
4. 小尺寸TO-252封装，便于安装和集成。
5. 支持宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C），适应恶劣环境条件。
6. 内置ESD保护功能，提升器件的可靠性和抗干扰能力。
7. 符合RoHS标准，环保且易于通过认证。
IPD640N06L广泛应用于以下领域：
1. 开关电源及DC-DC转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动器，例如步进电机、无刷直流电机等。
3. 负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的信号切换与控制。
5. 消费类电子产品，如智能手机充电器、平板电脑适配器等。
6. LED照明系统的调光和驱动控制。
7. 通信设备中的功率管理模块。
IRLZ44N, FDP5570N, AO3400
