CS6N60A4H 时间：2025/5/23 21:22:01 阅读：8

CS6N60A4H是一款高性能的MOSFET芯片，属于超结（Super-Junction）技术系列，主要用于高频开关应用。该器件采用先进的工艺制造，能够显著降低导通和开关损耗，适用于高效能电源转换、电机驱动、光伏逆变器等场景。CS6N60A4H具备高耐压、低导通电阻以及快速开关特性，同时优化了动态性能以满足现代电力电子设计的需求。
　　此型号为N沟道增强型场效应晶体管，封装形式，具体取决于制造商的产品线。

参数

额定电压：650V
　　最大漏源电流：4A
　　导通电阻：150mΩ
　　栅极电荷：38nC
　　输入电容：1050pF
　　总功耗：13W
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

CS6N60A4H具有以下关键特性：
　　1. 超低导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗，提升系统效率。
　　2. 高速开关能力，支持高达1MHz的工作频率，非常适合高频DC-DC转换器。
　　3. 内置反向恢复二极管，有助于减少寄生效应并改善EMI性能。
　　4. 优秀的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能。
　　5. 具备短路保护功能，增强了可靠性。
　　6. 符合RoHS标准，绿色环保设计。

应用

CS6N60A4H广泛应用于各种需要高效功率转换1. 开关电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 电机驱动与控制
　　4. 光伏逆变器
　　5. PFC（功率因数校正）电路
　　6. 工业自动化设备
　　7. 电动汽车充电桩
　　其高效率和高可靠性的特点使其成为众多电力电子系统的核心组件。