时间：2025/5/10 10:38:26
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PEB2075N是一款基于硅技术的高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用N沟道增强型设计，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其封装形式为TO-220，便于散热和集成到各种电路中。
PEB2075N的主要特点是能够承受高电压，同时提供快速的开关性能，从而降低功耗并提升系统效率。此外，它还具备良好的热稳定性和可靠性，适用于需要长期运行的工业及消费类电子产品。
最大漏源电压：750V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：4.5Ω
栅极电荷：15nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻，减少导通损耗。
3. 快速开关特性，支持高频操作。
4. 优异的热性能，确保长时间稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 可靠性高，适合工业级应用需求。
7. 封装形式坚固耐用，易于安装与维护。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心组件。
3. 各类电机驱动电路。
4. 能量管理模块中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 消费电子产品的适配器与充电器。
7. 照明系统的调光与驱动电路。
IRFP250N, STP20NF75, FQP18N75
