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PEB2075N 发布时间 时间:2025/5/10 10:38:26 查看 阅读:19

PEB2075N是一款基于硅技术的高压功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用N沟道增强型设计,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其封装形式为TO-220,便于散热和集成到各种电路中。
  PEB2075N的主要特点是能够承受高电压,同时提供快速的开关性能,从而降低功耗并提升系统效率。此外,它还具备良好的热稳定性和可靠性,适用于需要长期运行的工业及消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:750V
  连续漏极电流:2.6A
  导通电阻:4.5Ω
  栅极电荷:15nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

1. 高耐压能力,适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻,减少导通损耗。
  3. 快速开关特性,支持高频操作。
  4. 优异的热性能,确保长时间稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 可靠性高,适合工业级应用需求。
  7. 封装形式坚固耐用,易于安装与维护。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心组件。
  3. 各类电机驱动电路。
  4. 能量管理模块中的负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率控制。
  6. 消费电子产品的适配器与充电器。
  7. 照明系统的调光与驱动电路。

替代型号

IRFP250N, STP20NF75, FQP18N75

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