时间：2023/4/10 11:15:31
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NSS12200WT1G参数
类型：PNP
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V)：12
集电极最大电流Ic(max)(mA)：-2000
直流电流增益hFE最小值(dB)：100
直流电流增益hFE最大值(dB)：300
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)：100
封装/温度(℃)：SOT-363/-55 to +150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
