FN15X223K160PNG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低能耗。
FN15X223K160PNG属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为行业标准的PDFN封装,有助于提高散热性能和减少寄生电感的影响。此外,该器件支持高频工作模式,非常适合现代电子设备对小型化和高效能的需求。
最大漏源电压:150V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:22A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷:45nC
输入电容:1050pF
总功耗:20W
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体系统效率。
2. 高击穿电压设计,确保在高压环境下具备良好的稳定性和可靠性。
3. 快速开关速度,支持高频操作,满足现代电力电子设备的需求。
4. 小型PDFN封装,提供出色的热性能和电气性能,同时节省PCB空间。
5. 宽工作温度范围,适用于各种严苛环境下的应用。
6. 内置ESD保护电路,增强器件的抗静电能力。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 工业控制领域的负载切换和保护。
4. 汽车电子中的直流-直流转换器和电池管理系统。
5. 其他需要高效功率开关的应用场景,如LED驱动器和太阳能逆变器。
IRFZ44N
STP160N10F
FDP15U20A
SI4896DY