电容值：0.22μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　温度特性：-55°C 至 +125°C
　　电容变化率：±15%以内
　　封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
　　端接类型：镍障层+锡镀层（Ni/Sn）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　产品系列：CL21
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（部分等级）

CL21B224KAFNNNC所采用的X7R介电材料是一种铁电陶瓷配方，具有相对较高的介电常数，能够在较小的封装内实现较大的电容值，同时在宽温度范围内保持较好的稳定性。X7R材料的典型特征是其电容值在-55°C到+125°C之间变化不超过±15%，这使其优于Z5U或Y5V等高波动性介质，但低于C0G/NP0这类超稳定介质。因此，它非常适合用于非关键信号路径中的耦合、去耦和旁路应用。该器件的结构为多层设计，内部由交替堆叠的陶瓷介质与内电极构成，显著提升了单位体积下的电容密度，并增强了机械强度与热循环耐受能力。
　　其0805封装形式兼顾了焊接可靠性与空间利用率，在自动化贴片过程中表现出良好的共面性与抗偏移能力。端子采用镍阻挡层加锡镀层结构，有效防止银离子迁移并提升可焊性，同时兼容无铅回流焊工艺。该电容具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于在中高频段实现有效的噪声抑制。此外，该器件对湿度、振动和温度冲击有较强的耐受性，适用于多种恶劣环境下的电子系统。
　　CL21B系列还通过了严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环、耐湿性及寿命试验，确保在长时间运行中保持性能稳定。尽管X7R材料存在一定的直流偏压效应——即施加电压后实际电容值会有所下降——但在50V额定电压下使用于3.3V、5V或12V电源轨时，仍能保留大部分标称容量，满足大多数去耦需求。整体而言，该型号是一款性价比高、适用范围广的工业级MLCC元件。

CL21B224KAFNNNC广泛应用于各类电子电路中，尤其常见于电源管理模块中的输入输出滤波电容，用于平滑电压波动并降低纹波噪声。在数字系统中，它常被用作微处理器、FPGA或ASIC的去耦电容，放置在电源引脚附近以提供瞬态电流支持并抑制高频干扰。通信设备如路由器、交换机和基站模块也大量采用此类电容进行信号路径滤波与耦合。消费类电子产品包括智能手机、平板电脑、电视和音频设备中，该型号用于DC-DC转换器、LDO稳压器周边电路以及接口保护线路。
　　工业控制设备、汽车电子模块（如车身控制单元、信息娱乐系统）同样依赖该类元件实现可靠运行。虽然未明确标注为车规级，但部分批次可能符合AEC-Q200标准，可用于非动力系统的辅助电路。此外，在医疗仪器、测量仪表和电源适配器中，CL21B224KAFNNNC凭借其稳定的温度特性和良好的耐久性，成为设计师常用的首选元件之一。其小型化封装也使其适用于空间受限的便携式设备设计。

GRM21BR71H224KA01L
　　CL21A224KBANNNC
　　C2012X7R1H224K