CS1N60A1H 时间：2025/8/2 2:22:44 阅读：8

CS1N60A1H 是一款由华润微电子（CR Micro）推出的高性能、高可靠性的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的高压工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优良的热稳定性，适用于多种电源管理与功率转换应用。CS1N60A1H 特别适合用于开关电源（SMPS）、LED照明驱动、DC-DC转换器、电池充电器以及各类工业控制设备中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：1A
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.5Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：10W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-92、SMD（具体以实际型号标识为准）

特性

CS1N60A1H 具备多项优异的电气和热性能，首先其高耐压能力（600V Vds）使其在高压开关应用中表现出色，能够承受较高的电压应力，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为1.5Ω，这有助于降低导通损耗，提高转换效率，尤其在高频率开关应用中表现更为突出。
　　此外，CS1N60A1H 采用了高耐温封装技术，确保了在高温环境下仍能保持良好的工作状态，适用于各种恶劣工作条件。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的最大栅源电压，使得其兼容多种驱动电路设计，便于实现灵活的系统集成。
　　最后，CS1N60A1H 在封装上提供TO-92和SMD两种选项，满足不同PCB布局和散热需求，尤其适用于空间受限的高密度电路设计。

应用

CS1N60A1H 主要应用于以下领域：开关电源（如适配器、电源模块）、LED照明驱动电路、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、家用电器中的功率开关、工业自动化设备中的电源控制模块等。
　　由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，该器件在节能型电源系统中表现出色，能够有效提升整体能效和系统寿命。
　　此外，在电动汽车充电设备、智能电表和新能源控制系统中，CS1N60A1H 也常用于作为主开关或辅助开关器件，发挥其在高频开关和高可靠性方面的优势。