类型：NPN 型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：1A
　　功率耗散（PD）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

S100T/R 晶体管具备多项优异的电气特性，适用于多种电子电路设计。
　　首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压开关和放大应用。
　　其次，最大集电极电流为 1A，使其能够驱动较大负载，如继电器、小型电机或 LED 阵列。
　　此外，该晶体管的功率耗散能力为 1.5W，配合 SOT-223 封装良好的散热设计，可以在较高功率下稳定工作。
　　其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应性强，适用于工业级环境和恶劣条件下的稳定运行。
　　最后，S100T/R 采用 SOT-223 小型封装，节省 PCB 空间，同时支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和可靠性。
　　这些特性共同使得 S100T/R 成为一款性价比较高的通用 NPN 晶体管，广泛应用于各类电子设备中。

S100T/R 主要应用于以下几个方面：
　　首先，在电源开关电路中，S100T/R 可作为中功率开关器件，用于控制负载的通断，例如驱动继电器、LED 灯组或小型直流电机。
　　其次，在音频放大电路中，由于其较高的电流增益和良好的频率响应，可用于低频放大器或前置放大电路中。
　　此外，在工业控制设备中，如 PLC、传感器接口和继电器驱动电路中，S100T/R 能够提供稳定的开关控制功能。
　　在消费类电子产品中，例如电视机、音响设备和电源适配器中，该晶体管也常用于电源管理或信号处理电路。
　　其 SOT-223 小型封装形式也使其适用于紧凑型设计和高密度 PCB 布局的应用场景。

TIP41C, BD139, 2N5551, S100T, S100T-L