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BCW60D 发布时间 时间:2022/12/29 16:12:02 查看 阅读:265

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA, 50mA

    电流 - 集电极截止(最大):20nA

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):380 @ 2mA, 5V

    功率 - 最大:350mW

    频率 - 转换:125MHz

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:*


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BCW60D参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)550mV @ 1.25mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)20nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)380 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大350mW
  • 频率 - 转换125MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)