H5TC4G63AFR-RDI 是由SK hynix公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该存储器芯片采用先进的DRAM技术,适用于需要高性能存储解决方案的各种电子设备。该型号属于DDR4 SDRAM类别,通常用于工业级和高性能计算应用。其封装形式为FBGA,具有良好的电气性能和热管理特性,适合长时间稳定运行。这款芯片的工作温度范围宽,适合在各种环境下运行。
存储类型:DRAM
类别:DDR4 SDRAM
容量:4Gb
数据速率:3200Mbps
电压:1.2V
封装类型:FBGA
工作温度范围:-40°C至+85°C
数据宽度:x64
接口类型:并行
封装尺寸:9mm x 13mm
存储器组织:4G x 64位
H5TC4G63AFR-RDI是一款高性能DDR4 SDRAM芯片,具备高速数据传输能力,支持高达3200Mbps的数据速率,能够满足对数据吞吐量要求较高的应用需求。该芯片采用低功耗设计,工作电压为1.2V,有效降低了功耗和发热,延长设备的使用寿命。封装形式为FBGA,这种封装技术不仅提高了芯片的稳定性,也增强了其散热性能,适用于高密度的电路设计。
此外,该芯片的工作温度范围广泛,从-40°C到+85°C,能够适应严苛的工业环境。它还支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在断电或低功耗状态下依然能够保持。H5TC4G63AFR-RDI还具备出色的可靠性和抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定运行,适用于对稳定性要求较高的工业控制系统和网络设备。
H5TC4G63AFR-RDI广泛应用于工业控制、通信设备、网络路由器和交换机、服务器、嵌入式系统等领域。由于其高性能和高可靠性,非常适合用于需要大容量内存和高速数据处理能力的设备中。例如,在服务器和数据中心中,该芯片可以提供快速的数据访问能力,提高系统的整体性能。在工业自动化设备中,它能够支持复杂的数据处理任务,确保系统的稳定运行。此外,该芯片也可用于高端消费电子产品,如游戏主机和高性能计算机。
H5TC4G63AFR-PBA, H5TC4G63AFR-RBI