时间：2025/9/19 19:44:08
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UPZ1005D100-2R0TF是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现为Qorvo的一部分）生产的高性能硅碳化物（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的SiC技术制造，具备出色的电气性能和热稳定性，适用于高效率、高频率和高温工作环境下的功率转换应用。其主要特点包括零反向恢复电荷、低正向压降以及优异的开关特性，能够显著降低系统中的开关损耗，提高整体能效。UPZ1005D100-2R0TF属于UnitedSiC的UniCrest系列，专为满足现代电源系统对小型化、高功率密度和高可靠性需求而设计。该器件封装在紧凑的贴片式DFN（Dual Flat No-lead）封装中，便于实现自动化装配和高效散热，广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、服务器电源及各类AC-DC和DC-DC转换器中。由于其基于宽禁带半导体材料SiC构建，该二极管能够在比传统硅基二极管更高的电压、电流和温度条件下稳定运行，同时减少对外部散热装置的依赖，有助于缩小系统体积并降低成本。
型号：UPZ1005D100-2R0TF
类型：SiC Schottky Diode
最大重复反向电压（VRRM）：100V
平均正向整流电流（IF(AV)）：2A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：40A
最大正向压降（VF @ 25°C）：0.82V @ 2A
反向漏电流（IR）：1μA @ 25°C, 100V
结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
封装形式：DFN1005 (1.0mm x 0.5mm)
引脚数：2
热阻结到外壳（RθJC）：150°C/W
工作结温：-55°C 至 +175°C
UPZ1005D100-2R0TF具备卓越的静态与动态电气特性，得益于其采用的第三代碳化物半导体材料——4H-SiC单晶衬底，这种材料具有比传统硅高出约10倍的临界击穿电场强度，使得器件可以在更薄的漂移层下承受高电压，从而显著降低导通电阻和寄生电容。其零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性意味着在高频开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰，有效抑制了电磁干扰（EMI），减少了开关节点上的电压振荡，并极大降低了主开关器件（如MOSFET或IGBT）的关断损耗。此外，该二极管在全温度范围内保持稳定的反向漏电流行为，即使在175°C高温下仍能维持较低的漏电流水平，确保系统在极端工况下的长期可靠性。
该器件的低正向压降（典型值0.82V @ 2A, 25°C）不仅提升了导通效率，还减少了自身功耗，有利于提升系统整体能效。其超快的响应速度使其适用于MHz级开关频率的应用场景，特别适合用于同步整流、输出续流以及有源钳位电路中。DFN1005微型封装提供了极低的寄生电感和优良的热传导路径，配合无铅环保设计，符合RoHS和REACH规范。器件内部结构经过优化，具备良好的抗浪涌能力和抗雪崩能力，在突发短路或瞬态过流情况下表现出较强的鲁棒性。此外，该封装支持回流焊工艺，兼容标准SMT生产线，便于大规模制造。由于其小尺寸和高性能，UPZ1005D100-2R0TF非常适合空间受限但要求高功率密度的设计，例如便携式工业设备、车载电子系统以及高端通信电源模块等应用场景。
UPZ1005D100-2R0TF因其优异的高频、高温和高效率特性，被广泛应用于多种电力电子系统中。在AC-DC开关电源中，它常作为输出整流二极管或PFC（功率因数校正）电路中的升压续流二极管使用，可显著提升电源效率并减小滤波元件体积。在DC-DC变换器中，尤其是在同步Buck、Boost或多相转换器架构中，该器件可用作自举二极管或辅助整流元件，帮助实现快速换向和低损耗运行。在太阳能光伏逆变器中，其零反向恢复特性有助于降低逆变桥臂的交叉导通风险，提高系统可靠性和能量转化效率。在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块及充电桩电源模块中，该二极管可在高温环境下持续稳定工作，适应严苛的汽车级应用要求。此外，该器件也适用于服务器和数据中心的高密度电源供应单元（PSU），满足80 PLUS钛金等级对超高效率的需求。工业电机驱动、UPS不间断电源以及LED照明驱动电源同样是其重要应用领域。凭借其紧凑的DFN1005封装，该器件还可用于便携式医疗设备、消费类快充适配器以及物联网边缘计算设备中的微型电源管理单元，实现高效节能与小型化的双重目标。
UF3007, CDBU1100D, SCT3020L, UCC1S06K17
