时间：2025/6/25 14:47:40
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CDR31BP621AKZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型设计。该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合高效率、高频应用环境。
其封装形式为TO-252（DPAK），具备出色的散热性能和紧凑的设计，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：21A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：89nC
开关速度：超高速
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（2.6mΩ），可显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，额定连续漏极电流达21A，适用于大功率应用场景。
3. 超快开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 优化的栅极电荷设计，有助于简化驱动电路设计并提高可靠性。
5. 宽工作温度范围（-55℃至175℃），能够在极端环境下保持稳定性能。
6. 符合RoHS标准，环保且兼容现代生产工艺要求。
CDR31BP621AKZPAT主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级器件。
3. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED驱动器和其他高效能电力管理系统。
6. 充电器及适配器等便携式设备电源解决方案。
CDR31BP621AKZPAT, IRF640N, FDP5580, AON7702
