FDS7066SN3-NL 时间：2025/8/24 12:56:10 阅读：5

FDS7066SN3-NL是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用高性能的PowerTrench?技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于各种高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大漏极电流(Id)：6.5A（25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：24mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP-6

特性

FDS7066SN3-NL采用先进的PowerTrench?技术，能够有效降低导通电阻，提高功率转换效率。该器件具有良好的热稳定性和电流处理能力，适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，提高系统效率。其TSOP-6封装形式提供了良好的散热性能，适用于空间受限的设计。器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。此外，FDS7066SN3-NL具有良好的栅极氧化层可靠性，能够在高压差条件下保持稳定运行。