时间：2025/6/19 1:44:58
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IPP065N04NG是英飞凌（Infineon）公司生产的MOSFET器件，属于P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等电路中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效能应用的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：-65A
导通电阻：1.3mΩ（典型值，@ VGS = -10V）
栅极电荷：97nC
总功耗：180W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IPP065N04NG具有较低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。同时，该器件具备快速开关性能，能够有效降低开关损耗。
它采用了先进的制造工艺，确保了在高温下的稳定运行，并且可以承受较高的浪涌电流。此外，该器件的短路耐受能力较强，增强了系统的可靠性。
由于其出色的热性能，IPP065N04NG适用于需要高效散热的紧凑型设计场景。
IPP065N04NG主要应用于直流电机控制、不间断电源（UPS）、逆变器、工业自动化设备中的功率转换以及电池管理系统等场景。它也常用于需要大电流切换的汽车电子系统，例如发动机控制单元或车身控制系统。
此外，该器件适合用作负载开关，以实现对不同负载的有效管理和保护。
IPP060N04S, IRF5305
