晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集射极电压：30V
　　最大基极电流：20mA
　　最大功耗：300mW
　　过渡频率：100MHz
　　电流增益带宽：100MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至150°C

LBSS5240P3T1G具有多项优异的电气特性和物理特性，使其适用于高频和低噪声应用。
　　首先，该晶体管的过渡频率（fT）高达100MHz，表明其在高频信号放大应用中具有良好的响应能力。这使得LBSS5240P3T1G能够胜任射频前端放大器、中频放大器等应用场景。
　　其次，晶体管的电流增益（hFE）在不同的工作电流下保持稳定，提供了良好的线性放大性能。在10mA集电极电流条件下，hFE的典型值为110，而在100mA时仍能保持较高的放大倍数，确保信号不失真。
　　此外，LBSS5240P3T1G的封装采用SOT-23小型化封装，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的热稳定性和机械强度。该封装也支持自动贴片工艺，适合大规模生产和应用。
　　该晶体管的最大集射极电压（VCEO）为30V，最大集电极电流为100mA，使其适用于中等功率的开关和放大应用。其最大功耗为300mW，确保在较高工作电流下仍能保持稳定运行。
　　最后，LBSS5240P3T1G的工作温度范围为-55°C至150°C，具有良好的温度适应性，适合在工业级和消费级环境中使用。

LBSS5240P3T1G晶体管广泛应用于多种电子电路中，尤其适合高频信号放大和开关控制。
　　首先，该晶体管常用于射频（RF）和中频（IF）放大器设计中，由于其高过渡频率和低噪声系数，适用于无线通信设备、蓝牙模块、Wi-Fi收发器等需要高频信号处理的场景。
　　其次，LBSS5240P3T1G也可作为低功率开关晶体管使用，控制小型继电器、LED指示灯、小型电机等负载。其较高的VCEO电压能力使其适用于多种电源管理和负载切换应用。
　　此外，该晶体管在音频放大电路中也有应用，尤其是在低噪声前置放大器中，能够提供良好的音质表现。
　　在工业自动化和消费类电子产品中，LBSS5240P3T1G常用于驱动小型执行器、传感器信号放大和逻辑电平转换等场景。其SOT-23封装形式也使其成为便携式设备和高密度电路板设计的理想选择。

BC847BW, 2N3904, 2N2222, PN2222, MMBT3904