时间：2025/7/3 23:01:57
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MA0402CG301J250 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，在保证高效率的同时也具备较低的导通电阻和良好的热性能。
型号：MA0402CG301J250
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ(典型值，在Vgs=10V时)
功耗(PD)：75W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263(D2PAK)
MA0402CG301J250 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，能够支持高频工作环境，适用于开关电源和PWM控制器等应用。
3. 高耐压能力（30V），确保在多种电路环境中具有良好的稳定性和可靠性。
4. 内部集成保护功能（如过流保护和热关断），进一步增强了器件的安全性。
5. 封装形式为 TO-263 (D2PAK)，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。
6. 结温范围宽广（-55℃至+175℃），适应各种严苛的工作条件。
MA0402CG301J250 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)及适配器。
2. 电动工具和小型家电中的电机驱动。
3. DC-DC转换器和同步整流电路。
4. 工业自动化控制设备中的功率管理模块。
5. LED驱动电路和其他需要高效功率转换的应用场景。
MA0402CG301J200, IRFZ44N, FDP5800
