时间：2025/7/2 9:57:28
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CBM100505U150T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率转换芯片，专为高频、高效率的应用场景设计。该器件采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）结构，具有超低的导通电阻和开关损耗，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及光伏逆变器等应用领域。
CBM100505U150T 以其出色的性能和可靠性，能够显著提升电力电子系统的效率与功率密度。
型号：CBM100505U150T
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源极电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
栅极电荷（Qg）：35nC
输入电容（Ciss）：2800pF
输出电容（Coss）：180pF
反向恢复时间（trr）：<50ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
CBM100505U150T 的主要特点是其卓越的开关性能和热稳定性。它采用了先进的GaN材料技术，大幅降低了开关损耗和导通损耗，从而实现了更高的系统效率。此外，这款芯片支持高频工作，有助于减小无源元件体积，提高功率密度。
该器件具备强大的过流保护能力，并且在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。同时，其低寄生电感的封装设计进一步优化了动态性能，适合于快速开关应用场景。
CBM100505U150T 还提供了极低的栅极电荷和输出电容，使驱动电路设计更加简单高效，同时也减少了电磁干扰问题。
CBM100505U150T 广泛应用于需要高性能功率转换的领域，包括但不限于以下场景：
- 开关电源（SMPS）
- 数据中心服务器电源
- 工业电机驱动
- 新能源汽车充电桩
- 光伏逆变器
- 高频DC-DC转换器
- 不间断电源（UPS）
- 无线充电设备
由于其高效率和高频工作能力，CBM100505U150T 成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件。
CM100DU-24S, GS66508T
