时间：2025/8/8 18:42:26
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2SK2807-01S-TE24R 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用。该器件采用小型SOP（Small Outline Package）封装，适合在空间受限的电路设计中使用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理、负载开关、电池供电设备等多种应用领域。2SK2807-01S-TE24R在设计上优化了热性能，确保在高负载下也能保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：4A
最大漏-源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：0.036Ω（最大值，Vgs=10V）
栅极电压范围：-20V ~ +20V
耗散功率：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP-8
2SK2807-01S-TE24R MOSFET具备多项优异特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为0.036Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏极电流可达4A，漏-源电压耐受能力为30V，能够胜任中等功率级别的开关任务。此外，2SK2807-01S-TE24R采用SOP-8封装，尺寸小巧，适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性，有助于在紧凑空间中实现高效散热。
该MOSFET支持宽范围的栅极电压（-20V至+20V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。内置的快速开关特性可降低开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关电源、同步整流器等应用。同时，该器件具有较高的可靠性，在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）可稳定运行，适用于严苛环境下的电子设备。
综上所述，2SK2807-01S-TE24R是一款性能优异、可靠性高、适用于多种电源管理场景的功率MOSFET，是工程师在设计高效率、小型化电子系统时的理想选择。
2SK2807-01S-TE24R广泛应用于多个电子领域。它常用于DC-DC转换器和开关电源中，作为主开关或同步整流元件，以提高能效和稳定性。在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备中，该MOSFET可用于电源管理模块，实现高效能的电能分配和节能控制。此外，它也适用于电机驱动电路、LED照明控制、负载开关电路以及各种电源管理系统。由于其具备较高的耐压能力和良好的热管理特性，该器件在工业控制、通信设备和消费类电子产品中均有广泛应用。
Si2302DS、2SK3019、FDS6675、IRLML6401、AO4406A
