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TML 30252C 发布时间 时间:2025/8/4 12:13:21 查看 阅读:11

TML 30252C 是一款由 Texas Memory Systems(TMS)开发的高性能静态随机存取存储器(SRAM)控制器芯片,专为高速存储系统设计。该芯片主要面向需要快速数据访问和高效存储管理的应用,如高性能计算系统、网络设备、存储阵列以及工业控制系统。TML 30252C 提供了灵活的存储接口、精确的时序控制以及高级错误校正功能,确保系统在高负载环境下稳定运行。

参数

类型:SRAM控制器
  接口标准:支持多种SRAM接口标准,包括SyncBurst SRAM和ZBT SRAM
  工作电压:3.3V
  封装类型:208引脚TQFP
  工作温度范围:0°C至70°C
  最大时钟频率:166MHz
  数据总线宽度:32位
  控制信号:支持CE、OE、WE等控制信号
  内存支持:可支持高达256MB的存储容量
  纠错功能:内置ECC(错误检查与纠正)支持

特性

TML 30252C 具备多项先进的功能,使其在高可靠性存储系统中表现出色。首先,该芯片支持多种SRAM接口标准,允许用户根据应用需求灵活配置存储架构。其次,其内置的ECC功能能够检测并纠正数据传输过程中的错误,提高系统的稳定性和数据完整性。此外,TML 30252C 提供了可编程的时序控制功能,用户可以根据不同的SRAM模块调整读写时序,优化系统性能。
  在高速数据处理方面,TML 30252C 支持高达166MHz的时钟频率,确保快速的数据访问速度,适用于高性能嵌入式系统和实时数据处理场景。其32位数据总线宽度也进一步提升了数据吞吐能力。此外,该芯片采用了低功耗设计,能够在高性能运行的同时保持较低的能耗,适合长时间运行的工业和通信设备。
  封装方面,TML 30252C 采用208引脚TQFP封装,便于PCB布局与散热管理。其工作温度范围为0°C至70°C,适用于大多数工业环境。该芯片还集成了多种调试和诊断功能,方便开发人员进行系统调试和故障排查。

应用

TML 30252C 主要应用于需要高速、高可靠性存储控制的领域。例如,在高性能计算系统中,该芯片可作为主存储控制器,管理大容量SRAM模块,提升计算任务的执行效率。在网络设备中,TML 30252C 可用于高速缓存管理,确保数据包的快速转发和处理。在存储系统领域,该芯片可用于构建高速缓存或临时存储单元,支持数据的快速读写和纠错处理。
  此外,TML 30252C 也广泛应用于工业自动化控制系统、通信基站、测试与测量设备等领域。在这些应用中,系统的稳定性和数据完整性至关重要,而TML 30252C 提供的ECC支持和可编程时序控制功能正好满足这些需求。同时,其低功耗设计也有助于延长设备的使用寿命并降低运行成本。

替代型号

IDT71V1214SA、Cypress CY7C1315KV、TI TMS320C6416

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TML 30252C产品

TML 30252C参数

  • 电源输出类型:固定输出
  • 输入电压范围VAC:85V 到 264V
  • 输出通道数字:2
  • Output Voltage Nom.:5V, 12V
  • Output Current Max:3A, 1.25A
  • 最大输出功率:30W
  • Applications:General Purpose
  • 外宽:64mm
  • 外部深度:30mm
  • 外部长度/高度:112mm
  • 安装类型:底板安装
  • 宽度:64.7mm
  • 工作温度敏:-25°C
  • 工作温度最高:71°C
  • 批准机构:CE / UL
  • 效率:80%
  • 电流, 输出2:1.25A
  • 电源最低频率:47Hz
  • 电源最高频率:440Hz
  • 电源电压:264V
  • 电源电压 最大:264V
  • 电源电压 最小:85V
  • 电源电压类型:110V AC / 230V AC
  • 电源类型:开关模式
  • 线路整流:0.3%
  • 负载整流:5%
  • 输入电压:264VAC
  • 输入电压:85V AC 到 264V AC
  • 输入频率:440Hz
  • 输出功率:30W
  • 输出电压:5V
  • 输出电压 2:12V
  • 输出电流:3A
  • 输出类型:固定输出
  • 长度:112mm
  • 隔离电压:3000VAC
  • 额定功率:30W
  • 高度:31mm