KDZTR24B 时间：2025/12/25 11:45:58 阅读：22

KDZTR24B是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。KDZTR24B通常封装在小型表面贴装SOP-8（PowerSOP）或类似封装中，适合高密度PCB布局设计，尤其适用于空间受限但对性能要求较高的应用场景。
　　KDZTR24B的工作电压等级适中，最大漏源击穿电压（V_DSS）为30V左右，连续漏极电流可达数十安培，具体数值取决于散热条件与工作温度。其栅极阈值电压较低，便于与逻辑电平信号直接驱动，减少了额外驱动电路的需求。此外，该MOSFET具备优良的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。由于其出色的电气特性和封装散热性能，KDZTR24B常被用于笔记本电脑电源模块、便携式电子设备、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源及通信设备中的电源转换部分。

参数

型号：KDZTR24B
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOP-8（PowerSOP）
　　最大漏源电压（V_DSS）：30V
　　最大栅源电压（V_GSS）：±20V
　　连续漏极电流（I_D）：18A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（I_DM）：72A
　　导通电阻（R_DS(on)）：6.5mΩ（max, V_GS=10V）
　　导通电阻（R_DS(on)）：8.5mΩ（max, V_GS=4.5V）
　　栅极阈值电压（V_GS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：3300pF（typ, V_DS=15V）
　　反向恢复时间（t_rr）：快速恢复型
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　功率耗散（P_D）：30W（Tc=25℃）

特性

KDZTR24B采用东芝先进的沟槽栅极结构设计，显著降低了导通电阻（R_DS(on)），从而在大电流应用中实现更低的传导损耗，提高整体能效。其典型R_DS(on)值在V_GS=10V时仅为6.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少发热并简化散热设计。该器件还具备优异的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），使其在高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器中表现出色，可有效降低动态损耗，提升转换效率。
　　该MOSFET的栅极驱动电压兼容性强，可在4.5V至10V范围内稳定工作，尤其适合由3.3V或5V逻辑控制器直接驱动，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。同时，其具备较高的雪崩耐量（Avalanche Energy Rating），能够在突发短路或感性负载关断过程中承受一定的过压冲击，提高了系统的鲁棒性和长期运行的可靠性。器件内部结构优化了热阻特性，结到壳的热阻（R_th(j-c)）较低，配合外部散热路径可实现高效热管理。
　　KDZTR24B符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于工业级和消费类电子产品。其封装形式为表面贴装型，便于自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。此外，该器件经过严格的质量测试和可靠性验证，确保在高温、高湿、振动等恶劣环境下仍能稳定运行，是现代高效电源系统中理想的功率开关元件之一。

应用

KDZTR24B主要用于各种中低压大电流开关电源系统中，典型应用包括同步整流式DC-DC降压转换器（Buck Converter）、电源管理单元（PMU）、电池供电设备的电源开关控制、笔记本电脑主板上的电压调节模块（VRM）、服务器电源系统、LED照明驱动电路、电动工具电源模块以及工业控制设备中的电机驱动电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其特别适用于需要高效能量转换的场景，例如在便携式设备中延长电池续航时间。此外，该器件也可用于过流保护电路、热插拔控制器以及H桥驱动拓扑中的低端或高端开关。得益于其紧凑的表面贴装封装，KDZTR24B非常适合高集成度PCB设计，广泛应用于通信设备、网络路由器、智能家居控制板和汽车电子辅助电源系统等领域。