类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：@ VGS = -10V: 4Ω；@ VGS = -2.5V: 7.5Ω
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

BSS84/PD MOSFET 具备多项优秀的电气性能和物理特性。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。尽管该器件的额定漏极电流较低（100mA），但在小功率开关和信号控制应用中表现优异。
　　其次，BSS84/PD 采用了先进的沟槽技术，使其在较小的芯片尺寸下仍能实现优异的性能。这种设计不仅提高了器件的开关速度，还减少了寄生电容，从而降低了开关损耗，适用于高频操作环境。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。SOT-23 小型封装使其非常适合用于空间受限的 PCB 设计，例如便携式电子产品和嵌入式系统中。
　　值得一提的是，BSS84/PD 的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如 3.3V 和 5V），这使得它能够轻松与微控制器或其他数字电路接口，无需额外的电平转换器。这种特性在数字控制的开关电路中尤其有用。

BSS84/PD 主要用于需要低功耗和高效率的小型电源管理系统中。例如，它可以用于电池供电设备的电源开关、LED 驱动控制、继电器替代、负载开关以及各种信号级开关应用。
　　在便携式电子产品中，BSS84/PD 可用于管理多个电源域，例如在智能手机或平板电脑中控制不同模块的电源供应，从而延长电池寿命。此外，由于其良好的热稳定性和封装紧凑性，它也常用于汽车电子系统中，例如车用传感器、控制单元和车载充电器等场景。
　　在工业自动化和嵌入式系统中，该器件可用于构建小型继电器替代电路，提供快速的开关响应和更长的使用寿命。同时，它也适用于数字隔离电路、I/O 接口保护电路以及小型电机控制电路。

2N7002K, BSS138, FDN340P