时间：2025/9/14 3:34:58
阅读：35
BUK9Y2R4-40HX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 TrenchPlus 工艺技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于高效率功率转换应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等。该器件采用 HVSON（高电压小外形无引脚）封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8.8A
导通电阻（RDS(on)）：2.2mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：11nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：HVSON 8 引脚
BUK9Y2R4-40HX 的核心优势在于其低导通电阻（RDS(on)）和优化的开关特性，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。
该器件采用先进的 TrenchPlus 技术，提供了更高的功率密度和更低的热阻，从而在高电流负载下仍能保持良好的温度控制。
此外，其 HVSON 封装设计不仅节省空间，还具备优异的散热性能，适合高功率密度和高可靠性要求的应用场景。
该 MOSFET 还具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了在突变负载条件下的稳定性和耐用性。
其栅极驱动特性优化，支持快速开关，适用于高频开关电源应用。
由于其出色的电气和热性能，BUK9Y2R4-40HX 是工业自动化、通信电源、消费类电子产品和汽车电子等领域的理想选择。
BUK9Y2R4-40HX 主要应用于各类高效率功率转换系统中，包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电源管理模块、电池管理系统（BMS）、工业控制设备以及高性能电源适配器等。
其紧凑的 HVSON 封装也使其非常适合用于空间受限的便携式电子设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路。
此外，该器件也适用于汽车电子系统中的电源转换模块，如车载充电器、DC-DC 稳压器和电池保护电路等。
在通信设备中，BUK9Y2R4-40HX 常用于服务器电源、网络交换设备和路由器的电源模块中，以提高能源利用效率和系统稳定性。
对于需要高可靠性和高效率的嵌入式系统和工业自动化设备，该 MOSFET 也提供了良好的性能保障。
SiSS226N, BUK9Y3R4-40H, Nexperia PSMN2R2-40YLC
