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AON7442 发布时间 时间:2025/6/13 19:17:04 查看 阅读:10

AON7442是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的功率转换。其小型化封装设计使得它非常适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:2.6mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容:1450pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AON7442的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低传导损耗并提高整体效率。此外,它的快速开关性能可以减少开关损耗,从而提升系统效率。该器件的紧凑型封装使其成为对体积敏感的设计的理想选择。同时,其出色的热稳定性和可靠性确保了在各种环境下的稳定运行。
  AON7442还具备较低的栅极电荷,这有助于降低驱动功耗,尤其在高频开关应用中表现突出。综合这些特点,AON7442是一款高性能、高效能的MOSFET解决方案。

应用

AON7442广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信领域。具体应用包括但不限于:
  - DC-DC转换器
  - 负载开关
  - 电池管理系统
  - 电机驱动
  - 电信及网络设备中的功率分配
  由于其卓越的性能,AON7442特别适合需要高效功率转换和小尺寸设计的应用场景。

替代型号

AON7441, AON7443, IRF7842

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AON7442参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥4.26552卷带(TR)
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.9 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)65 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2994 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)83W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 封装/外壳8-PowerWDFN