时间：2025/7/12 5:11:46
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GRT1555C1H101JA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和良好的热性能，能够显著提升系统的整体性能。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，适用于高频开关应用，并且其封装设计优化了散热性能，适合需要高可靠性和高效能的应用环境。
型号：GRT1555C1H101JA02D
类型：N沟道功率MOSFET
额定电压(Vdss)：60V
额定电流(Id)：70A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ
栅极电荷(Qg)：48nC
输入电容(Ciss)：3090pF
最大功耗(Ptot)：150W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
GRT1555C1H101JA02D具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够降低传导损耗，从而提高系统效率。
2. 高速开关性能，使得其在高频应用场景下表现优异。
3. 优秀的热性能，通过优化的封装设计可以更好地散发热量，延长器件寿命。
4. 强大的雪崩能力，确保在异常条件下也能保持稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该芯片广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 工业级DC-DC转换器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电动车和混合动力汽车中的逆变器模块。
5. 各类负载切换和保护电路。
GRT1555C1H101JA02B, IRF7832, FDP5500
