时间：2025/11/8 9:29:37
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EMZ1 T2R是一款由Toshiba（东芝）公司生产的表面贴装型超小型肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），主要用于高频、低电压应用场合。该器件采用先进的芯片制造工艺，结合紧凑的封装设计，适用于空间受限的便携式电子设备。EMZ1 T2R以其低正向电压降和快速开关特性著称，能够在高频率开关电路中有效减少功耗并提升整体效率。其主要面向的应用领域包括移动通信设备、消费类电子产品、电源管理模块以及信号整流与保护电路等。由于采用了环保材料制造，并符合RoHS指令要求，EMZ1 T2R在现代绿色电子产品设计中具有广泛适用性。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，可在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能，适合自动化贴片生产工艺，便于大规模生产使用。
产品类型：肖特基势垒二极管
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
反向重复峰值电压(Vrrm)：30V
最大平均整流电流(Io)：30mA
最大正向电压(Vf)：450mV @ 10mA
最大反向电流(Ir)：100μA @ 25°C
工作结温范围(Tj)：-40℃ ~ +125℃
封装/外壳：SOD-723
安装方式：表面贴装型
峰值反向电压(Vrm)：30V
直流反向电压(Vr)：30V
正向浪涌电流(ifsm)：50mA
电容(Ct)：8pF @ 1MHz, 0V
EMZ1 T2R的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒实现单向导电功能，相较于传统的PN结二极管，具备更低的正向导通压降和更快的开关响应速度。其典型正向电压仅为450mV，在10mA的工作电流下即可实现高效导通，显著降低了能量损耗，特别适用于电池供电或对能效要求较高的系统。由于没有少数载流子存储效应，EMZ1 T2R在高频开关操作中不会产生明显的反向恢复时间（trr几乎为零），从而避免了因反向恢复引起的瞬态过冲和电磁干扰问题，提升了系统的稳定性与EMI性能。
该器件的最大平均整流电流为30mA，适用于小信号整流、电压钳位、反极性保护及逻辑电平转换等轻负载应用场景。尽管电流承载能力有限，但其微型SOD-723封装使其占据极小的PCB面积，非常适合用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块、无线传感器节点等高度集成化的电子产品中。同时，该封装具有良好的散热性能和机械强度，能够适应回流焊工艺，并保证长期使用的可靠性。
EMZ1 T2R支持的工作结温范围为-40℃至+125℃，确保其在恶劣环境条件下仍能维持正常工作，适用于工业级温度要求的设计。其最大反向漏电流为100μA，在常温下表现出优异的阻断能力，有助于降低待机功耗。此外，器件的寄生电容仅为8pF（在1MHz、0V偏置下测量），有利于在高频信号路径中保持良好的传输特性，适用于射频检测、高速数据线保护等场景。整体而言，EMZ1 T2R是一款高性能、小型化、节能环保的通用型肖特基二极管，满足现代电子系统对小型化、高效率和高可靠性的综合需求。
广泛应用于移动通信设备中的天线切换电路与ESD保护；用于便携式电子产品的电源管理单元进行电压检测与反接保护；在消费类电子产品如TWS耳机、智能手表中实现充电管理与信号整流；适用于各类低功率DC-DC转换器中的续流二极管；用于微控制器I/O口的电平钳位与瞬态抑制；在无线模块中作为高频检波与解调元件；也可用于USB接口、传感器接口的信号保护与隔离电路中。
MAZ103 T2R
