T9S0182003DH 时间：2025/8/6 22:18:49 阅读：7

T9S0182003DH 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率场效应晶体管（Power MOSFET），主要用于高功率和高频应用，例如电源管理、开关电源（SMPS）、电机驱动、电池管理系统等。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够提供高效的电力转换性能。T9S0182003DH 的封装形式通常为TO-263或类似的大功率封装，有助于散热和提高可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：180A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为1.8mΩ（典型值更低）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

T9S0182003DH 具备一系列高性能特性，使其适用于高要求的功率应用。
　　首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功耗和高效的能量转换。1.8mΩ的Rds(on)意味着在180A的漏极电流下，导通损耗仅为5.83W，这对于提高系统效率至关重要。
　　其次，该MOSFET采用了先进的封装技术，具备良好的热管理能力。TO-263封装不仅提供了较大的散热面积，还优化了封装内部的热传导路径，使得器件在高功率工作状态下仍能保持稳定的温度。
　　此外，T9S0182003DH 具有较高的耐压能力和抗过载能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。其漏源击穿电压（Vds）为30V，足以满足许多低压高电流应用的需求。栅源电压范围为±20V，这为设计者提供了较大的驱动电压余量，从而提高了系统的可靠性和灵活性。
　　最后，该器件的开关特性优异，具有快速的开关速度和较低的开关损耗。这对于高频开关电源和DC-DC转换器等应用来说尤为重要，有助于提高系统的整体效率并减少外部滤波元件的尺寸。

应用

T9S0182003DH 主要应用于需要高电流、低导通电阻和高效能的电力电子系统中。常见的应用场景包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于计算机电源、服务器电源、工业电源等高效能电源系统中，作为主开关或同步整流器。
　　2. DC-DC转换器：用于电动汽车、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器等系统中的升压或降压电路。
　　3. 电机驱动和逆变器：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动、电动车控制器、工业伺服系统等需要高功率输出的场合。
　　4. 电池充电与管理系统：在高功率电池充电器和储能系统中，作为关键的功率开关元件。
　　5. 工业自动化与电源管理模块：用于PLC控制器、电源分配单元（PDU）和其他需要高可靠性电源管理的场合。