时间：2025/9/14 23:16:36
阅读：5
BUK9614-60E,118是一款由NXP Semiconductors生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高效率应用设计。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供了卓越的导通和开关性能。其主要特性包括低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，使其适用于各种功率转换和管理应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：最大为140A
漏极-源极电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大为2.3mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Ptot）：最大为200W
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK9614-60E,118采用了先进的Trench沟槽技术，使得其在导通状态下的电阻非常低，从而降低了导通损耗并提高了效率。其低导通电阻（Rds(on)）为2.3mΩ，这在同类产品中表现优异，可以有效减少功率损耗和热量生成。此外，该器件的漏极-源极电压额定值为60V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用。
这款MOSFET还具有出色的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的可靠性。其封装形式为TO-263（D2PAK），这种封装方式具有良好的散热性能，并且适合表面贴装工艺，便于在高密度电路板上安装。
另外，BUK9614-60E,118的栅极驱动电压范围为±20V，使得其可以与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。该器件的开关特性也非常出色，具有快速的开关速度，从而降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
BUK9614-60E,118广泛应用于多个领域，包括电源管理、电机控制、负载开关、DC-DC转换器以及电池管理系统等。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的应用场合，如服务器电源、工业自动化设备和电动车辆系统。
在电源管理方面，BUK9614-60E,118可用于构建高效率的同步整流器和负载开关，帮助提高整体系统的能效。在电机控制应用中，该MOSFET能够提供稳定的电流控制，确保电机的平稳运行。此外，在电池管理系统中，BUK9614-60E,118可用于实现高效的充放电控制，延长电池的使用寿命。
IRF1405, SiR144DP
