器件类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：1
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：典型值 6.3V
　　最大钳位电压（VC）：12V（在 IPP = 1A 条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs 波形）
　　寄生电容：典型值 0.4pF
　　响应时间：小于 1ns
　　封装形式：SC-70 或类似微型表面贴装封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　ESD 耐受能力：±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　反向漏电流（IR）：最大 1μA @ VRWM

50CE1FH 的核心特性之一是其极低的寄生电容，典型值仅为 0.4pF，这一特性使其非常适合用于保护高频或高速数字信号线路，如 USB、HDMI、SDIO、RF 天线接口等，能够在不引入明显信号衰减或失真的情况下实现有效的 ESD 防护。由于高速信号对电路中的杂散电容非常敏感，传统 TVS 器件可能因电容过大而导致信号完整性下降，而 50CE1FH 通过优化的芯片结构设计显著降低了结电容，从而保证了在 GHz 级频率下的良好传输性能。
　　另一个关键特性是其超快响应时间，小于 1 纳秒，这意味着在 ESD 事件发生的瞬间，器件能够迅速从高阻态切换到低阻态，将瞬态过电压钳制在安全水平，有效防止下游 IC 因高压冲击而损坏。这种快速响应能力得益于其基于硅的 PN 结结构以及先进的制造工艺，能够在纳秒级时间内导通并泄放能量。
　　此外，50CE1FH 具备优异的功率处理能力和多次冲击耐受性。虽然其额定峰值脉冲电流为 1A（8/20μs），但在实际应用中，它能够承受多次 ESD 放电而不发生性能退化或永久性损坏。这归功于其内部采用的 SIDACtor 技术，该技术结合了双向触发特性和自恢复机制，使得器件在浪涌过后自动恢复至高阻抗状态，无需人工干预或更换元件，大大提高了系统的可靠性和维护便利性。
　　该器件还符合多项国际电磁兼容（EMC）标准，包括 IEC 61000-4-2（ESD 抗扰度，最高 Level 4）、IEC 61000-4-4（EFT 抗扰度）和 IEC 61000-4-5（雷击浪涌），适用于要求严格认证的产品设计。其小型化 SC-70 封装不仅节省 PCB 空间，而且便于自动化贴片生产，适合大规模制造。整体而言，50CE1FH 在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代便携式电子设备和工业接口的理想保护元件。

50CE1FH 广泛应用于各类需要高等级静电放电（ESD）保护的电子设备中，尤其适用于高速数据传输接口的防护。常见应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式消费类电子产品中的 USB 端口、音频插孔、SIM 卡槽、TF 卡接口以及触摸屏信号线。这些接口经常暴露在外，容易受到人体接触带来的静电冲击，使用 50CE1FH 可以有效防止因 ESD 导致的芯片损坏或系统异常重启。
　　在通信领域，该器件可用于保护以太网 PHY 接口、RS-232/RS-485 串行通信线路、CAN 总线节点以及其他工业总线系统的信号引脚，提升设备在复杂电磁环境下的稳定运行能力。此外，在无线模块如 Wi-Fi、蓝牙、ZigBee 和蜂窝通信模组中，天线馈电线路或射频前端也可能集成 50CE1FH 来抵御近场静电放电干扰，避免灵敏的 RF 收发器受损。
　　工业控制系统中的人机界面（HMI）、传感器输入通道、编码器接口等同样可受益于该器件的低电容和快速响应特性。医疗电子设备，尤其是便携式监护仪、血糖仪等带有外露连接器的产品，也常采用此类 TVS 器件满足严格的安规和 EMC 认证要求。
　　由于其宽工作温度范围和高可靠性，50CE1FH 还适用于汽车电子中的非动力系统，例如车载信息娱乐系统（IVI）、倒车雷达传感器、车内 USB 充电端口等，能够在车辆启动、开关负载或人员进出时产生的静电脉冲下提供稳定保护。总之，任何存在 ESD 风险且对信号完整性有较高要求的电路节点，都是 50CE1FH 的适用场景。

SP0503BAHT