时间：2025/6/28 12:32:01
阅读：9
CDR31BX682AMZRAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效的开关性能。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的应用领域。
其设计注重降低功耗和提升系统效率，适合高频率开关操作，并具有良好的热稳定性和耐用性。
型号：CDR31BX682AMZRAT
类型：N沟道增强型MOSFET
工作电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极电荷（Qg）：70nC
总电容（Ciss）：3000pF
开关速度：高速
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CDR31BX682AMZRAT 具有出色的电气性能和可靠性，以下是其主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少导通损耗，提高整体系统效率。
2. 高额定电流能力，适用于大功率应用环境。
3. 快速开关性能，支持高频工作场景，减少开关损耗。
4. 强大的散热能力，能够承受高结温运行，确保长时间稳定工作。
5. 良好的电磁兼容性（EMC）表现，减少了对外部电路的干扰。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和AC-DC适配器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）。
5. 电信和数据通信设备中的电源模块。
6. 各类高效能DC-DC转换器设计。
CDR31BX682AMZRAK, CDR31BX682AMZRAL
