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H55S1G22MFP-60M 发布时间 时间:2025/9/2 8:32:39 查看 阅读:10

H55S1G22MFP-60M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,广泛用于需要高速数据存取的电子设备中。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  封装:168-Pin DIMM
  电压:3.3V
  时钟频率:60MHz
  数据速率:60MHz
  数据宽度:32位
  行地址位数:A0-A12
  列地址位数:A0-A9
  刷新周期:64ms

特性

H55S1G22MFP-60M 是一款标准的SDRAM模块,具有较高的数据传输速率和较低的延迟,适用于早期的个人计算机和服务器系统。其60MHz的工作频率使其能够满足当时的处理器需求。
  该芯片采用168引脚DIMM封装,支持3.3V供电电压,具备良好的稳定性和兼容性。其256MB的存储容量在当时被广泛用于主流计算机系统中。
  SDRAM的同步设计使得数据传输与系统时钟同步,提高了内存访问效率,降低了延迟。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在断电情况下仍能保持一定时间。
  该型号的H55S1G22MFP-60M模块通常用于早期的Pentium处理器平台,适用于桌面计算机和服务器应用。虽然现代计算机已经转向更高频率的DDR SDRAM技术,但在某些老旧系统或特定工业应用中仍可能使用此类内存模块。

应用

H55S1G22MFP-60M 通常用于早期的个人计算机、服务器以及需要大容量内存的工业控制系统。尽管现代计算机已经转向更高性能的内存技术,如DDR2、DDR3和DDR4 SDRAM,但该型号在一些老旧设备或特定嵌入式系统中仍有应用。

替代型号

HY57V641620BTC-6A, KM48V51422AGB-6

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H55S1G22MFP-60M参数

  • 位址总线宽13bit
  • 字组数目32M
  • 存储器大小1 Gbit, 2 Gbit
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度8mm
  • 封装类型FBGA
  • 尺寸13 x 8 x 1mm
  • 引脚数目90
  • 数据总线宽度32bit
  • 数据速率166MHz
  • 最低工作温度-30 °C
  • 最大工作电源电压1.95 V
  • 最小工作电源电压1.7 V
  • 最长随机存取时间6ns
  • 最高工作温度+85 °C
  • 每字组的位元数目32bit
  • 组织32M x 32 位
  • 长度13mm
  • 高度1mm